快速恢复二极管



意法半导体新款的MDmesh? MOSFET内置快速恢复二极管

提升高能效转换器的功率密度



中国,2017年5月22日—— 意法半导体推出最新的MDmesh? Dk5功率MOSFET管,内部增加一个快速恢复二极管的甚高压(VHV)超结晶体管,这样结构有助于设计人员最大限度提升各种功率转换拓扑的能效,包括零压开关(ZVS)LLC谐振转换器。

 

作为超结MOSFET管,新产品额定电压范围950V至1050V,开关性能、导通电阻(RDS(ON))和硅单位面积流过的额定电流等技术参数均优于平面结构的普通MOSFET晶体管。在大功率设备用功率转换器内,例如高总线电压的电信服务器或数据中心服务器、工业电焊机、等离子发电机、高频感应式加热器和X射线机内,意法半导体的新产品让设计人员能够提升应用能效,减少并联器件数量,从而提高功率密度。

 

内部快速恢复体二极管让新产品能够提升零压开关LLC谐振转换器的能效,满足应用对宽压输入和高能效的要求。其它类型的桥式转换器以及电池充电升压DC/DC转换器也将受益于新产品的低损耗和高动态性能。与市面现有的内置快速恢复二极管的甚高压MOSFET相比,意法半导体DK5产品兼备最短的反向恢复时间(trr)、最低的MOSFET栅电荷量(Qg)和导通电阻RDS(ON),以及超结产品中良好的输出输入电容(Coss, Ciss)。

 

DK5系列产品扩大了意法半导体的甚高压超结晶体管产品阵容,覆盖800V至1500V电压范围,新增六款TO-247、TO-247长脚、Max247和ISOTOP功率封装产品。STWA40N95DK5、STY50N105DK5和STW40N95DK5已经开始量产。



快速恢复二极管
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